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為滿足業(yè)界對新一代智能手機(jī)緊湊型解決方案日益增長的需求，美光工程師已成功將LPDDR5X的封裝尺寸縮小至業(yè)界領(lǐng)先的0.61毫米2，較競品輕薄6%3，較前一代產(chǎn)品高度降低14%4。小型規(guī)格尺寸為智能手機(jī)制造商實(shí)現(xiàn)超薄或可折疊設(shè)計(jì)提供了更多可能。 美光企業(yè)副總裁暨手機(jī)和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Mark Montierth表示：“美光基于1γ (1-gamma）節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存將為移動(dòng)行業(yè)帶來顯著變革。這項(xiàng)突破性技術(shù)憑借業(yè)界超薄的LPDDR5X封裝實(shí)現(xiàn)了卓越的速率和能效，為新一代智能手機(jī)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)開辟新契機(jī)。該解決方案彰顯了美光致力于賦能生態(tài)系統(tǒng)、打造非凡移動(dòng)體驗(yàn)的承諾?！?/p>

2封裝厚度因容量而異；基于1γ制程的美光8GB和16GB LPDDR5X的496焊球封裝厚度為0.61毫米。

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目前，美光已向特定合作伙伴送樣基于1γ節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X 16GB產(chǎn)品，并將提供從8GB至32GB的多種容量用于2026年的旗艦智能手機(jī)。

美光基于1γ（1-gamma）節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X為移動(dòng)設(shè)備帶來顯著的性能躍升，加速AI洞察，提供更卓越的使用體驗(yàn)。例如，在基于大型語言模型Llama 2的移動(dòng)AI響應(yīng)時(shí)間測試中，相比基于1β（1-beta）節(jié)點(diǎn)、帶寬7.5 Gbps的LPDDR5X，基于1γ節(jié)點(diǎn)、帶寬達(dá)10.7 Gbps的LPDDR5X可帶來以下提升：5

能耗密集型的移動(dòng)AI工作負(fù)載越來越多地在端側(cè)設(shè)備上處理，而非僅依賴云端。低功耗芯片對于執(zhí)行AI運(yùn)算時(shí)需要兼顧出色能效的智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等設(shè)備至關(guān)重要。

美光LPDDR5X內(nèi)存專為旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì)，以業(yè)界領(lǐng)先的超薄封裝提供高速等級并顯著降低功耗。

1與美光上一代 LPDDR5X 相比。

3根據(jù)美光的競爭市場研究和情報(bào)數(shù)據(jù)，競品封裝厚度為0.65毫米。

7互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體。

美光基于1γ的LPDDR5X可顯著節(jié)省20%的功耗，使移動(dòng)設(shè)備用戶單次充電即可更持久暢享AI應(yīng)用、游戲和視頻內(nèi)容。此外，隨著AI應(yīng)用對高性能、低功耗計(jì)算需求的不斷增長，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、智能汽車和AI PC等設(shè)備也可能越來越多地采用LPDDR5X內(nèi)存，以獲得其兼具高性能與高能效的卓越優(yōu)勢。

6測試要求Llama 2模型在遵循優(yōu)先級約束條件下推薦10款SUV車型：用戶需求權(quán)重排序?yàn)轭A(yù)算、Apple CarPlay兼容性，以及緊急制動(dòng)、盲區(qū)監(jiān)測、停車傳感器及全輪驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。所建議車輛價(jià)格均在23,000美元至37,000美元預(yù)算范圍內(nèi)。

在詢問基于地點(diǎn)的餐廳推薦時(shí)，回應(yīng)速度提升 30%。使用導(dǎo)航功能時(shí)，將英語語音查詢轉(zhuǎn)譯為西班牙語文字的回應(yīng)速度可提升50%以上。在根據(jù)車型、預(yù)算范圍以及特定信息娛樂與安全功能詢問汽車采購建議時(shí)，回應(yīng)速度最高可提升25%6。

5以下示例基于LPDDR5X設(shè)備在9.6 Gbps和7.5 Gbps傳輸速率下的數(shù)據(jù)推算結(jié)果。

4基于1β制程的美光16GB LPDDR5X封裝厚度為0.71毫米。

美光基于1γ的LPDDR5X是公司首款采用先進(jìn)EUV光刻技術(shù)的移動(dòng)解決方案，目前正在美光的移動(dòng)產(chǎn)品組合中逐步采用。該產(chǎn)品依托業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存節(jié)點(diǎn)技術(shù)，讓客戶能夠率先體驗(yàn)性能與能效的突破。這項(xiàng)重要進(jìn)展是在美光今年二月針對數(shù)據(jù)中心和客戶端細(xì)分市場下一代CPU提供的1γ DDR5內(nèi)存樣品基礎(chǔ)上取得的。美光優(yōu)化的1γ DRAM節(jié)點(diǎn)采用了CMOS技術(shù)7，如用于提升晶體管性能的新一代HKMG（高 K 金屬柵極）技術(shù)，并采用領(lǐng)先的EUV光刻工藝提升容量密度。

2025年6月6日，愛達(dá)荷州博伊西市——美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已開始出貨全球首款采用1γ（1-gamma）制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存認(rèn)證樣品。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機(jī)上的AI應(yīng)用而設(shè)計(jì)。美光LPDDR5X內(nèi)存具備業(yè)界領(lǐng)先的速率，達(dá)到每秒10.7 Gb（Gbps），同時(shí)功耗可降低高達(dá)20%1，為智能手機(jī)帶來更快、更流暢的移動(dòng)體驗(yàn)和更強(qiáng)的續(xù)航，即使在執(zhí)行如AI翻譯或圖像生成等數(shù)據(jù)密集型任務(wù)時(shí)也不例外。